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　　2、对电气时会发生严重后果的电路，不合用一根控制电缆其中包括：（1）弱 控制回路与强 控制回路；（2）低电平信 与高电平信 的回路；（3）交流断路器分相操作的各相弱电控制回路，都不应使用同一根控制电缆。
非标的如黑杆铜，可能存在事故隐患。内芯的粗细 有一定的要求，但不是很严格。可是不会错很多，只是很小的一点点，一般用眼看不出来的误差。长度， 没有强制一定要打米，可是有很多厂家也打了米，打了米的并不一定是国标的，但一般的国标一般没有打米。

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2025完整版 ##铜陵#变电站收购+诚信商家因此在每个工种完成后，必须进行施工记录的登记，形成一套完整的工程技术档案，再按照工种的验收规范和设计图纸的要求进行项目工程验收。弱电工程竣工验收的主要内容目前 尚无标准的智能化建筑弱电工程竣工验收体系，但各地方的验收标准已陆续。而市的“智能建筑施工与验 目前弱电工程的验收标准，今后严格要求按此规范实施。此规范含6个智能建筑弱电工程的子系统验收规范:1)电器线路敷设与接地系统的验收。分压电阻损坏，分压不均造成某电容首先击穿，随后发生相关其他电容也击穿。电容 ，如外包绝缘损坏，外壳连到了不应有的电位上，电气连接处和焊接处 ，造成接触 发热而损坏。散热环境不好，使电容温升太高，日久而损坏。在更换电解电容时要有以下几点 ：更换滤波电解电容器选择与原来相同的型号，在一时不能获得相同的型号时，必须注意以下几点：耐压、漏电流、容量、外形尺寸、极性、方式应相同，并选用能承受较大纹波电流，长寿命的品种。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。所以电流密度要选取适当，一般根据电机绝缘等级和散热条件等因素来确定。核算实例维修一台2.2K 660V，△/Y接法，1 ，铁芯内径95。计算气隙磁密Bδ=0.7711，电流密度j=9，两个参数都偏大，会影响维修质量，根据实际情况重新核算，改为65匝，Φ0.72，气隙磁密Bδ=0.7243，电流密度j=7.125。两端接地屏蔽效果更好，但信号失真会增大。请注意：两层屏蔽应是相互绝缘隔离型屏蔽。如没有彼此绝缘仍应视为单层屏蔽。 外层屏蔽两端接地是由于引入的电位差而感应出电流，因此产生降低源磁场强度的磁通，从而基本上抵消掉没有外屏蔽层时所感应的电压；而 内层屏蔽一端接地，由于没有电位差，仅用于一般防静电感应。下面的规范就是佐证：《G 217-1994电力工程电缆设计规范》——3.6.8控制电缆金属屏蔽的接地方式，应符合下列规定：计算机监控系统的模拟信号回路控制电缆屏蔽层，不得构成两点或多点接地，宜用集中式一点接地。

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