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青海德令哈计算机电缆ZR-DJYJVP2-青海德令哈

文章来源:kvvp 发布时间:2025-03-15 08:25:16

青海德令哈计算机电缆ZR-DJYJVP2-青海德令哈强弱电之间距离弱电线包括了网线、电视线、音频线等,在布线的时候,强弱电线之间保持在30cm的距离,避免相互影响。如果有交叉点,可以用铝箔纸包裹,避免后期干扰信号。一根管子不要装过多的线布置强弱电时,要穿管子,也叫PVC阻燃管。一般有6分和4分两种。如果条件允许都使用6分的管子,并且要在合同中注明。5平的电线,很少用了,起码是2.5平,这时就要注意了,一根管子 多可以穿3根线,就可以了,太多不容易散热,以后想更换电线都抽不出来。
矿用阻燃网线MHYV4*2*0. 23AWG;
:2002。
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5优势
反转铝箔屏蔽层,保证屏蔽层端接;
蜗型技术保证弯曲时良好的屏蔽效果。
青海德令哈计算机电缆ZR-DJYJVP2-青海德令哈矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5应用范围
六类/D级水平与垂直布线;
适用于有电磁干扰环境以及对数据传输安全性要求较高的地方;
高传输速率网络应用:千兆以太网,10/100BaseT等。
青海德令哈计算机电缆ZR-DJYJVP2-青海德令哈矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5产品特性
1.性能优于ISO11801- -2007六类标准
2.具有向后兼容性,可向下兼容UTP5e及更低类别的系统,避免用户的投资损失
3.传输时延低,紧凑线缆设计,减少中电缆出现扭曲打结现象
4.中心PE十字骨架,Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距,具有高抗电磁干扰性,使传输信号的误码率降至Z低程度
5.内置撕裂绳,便于施工
6.线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号
7.内轴外纸箱包装,外箱贴有合格证
8.绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪,在线火花检测仪,在线水中电容检测仪等在线设备,保证了产品的高可靠性和一致性,绝缘单线采用彩条色标符合环保要求
9.所有使用铜及PE、PVC材质,都经过检测分析,放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内
10.绝缘层材料为高密度聚乙(HDPE)
11.外护套材料可选用不同阻燃等级材料
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能
1.工作电容:≤5.6nF/100米
2.线对对地电容不平衡:≤330pF/100米
3.额定传输速率(NVP):65%
4.线对时延差:≤45ns/100米
5.Z大导体直流 WG)
6.线对直流不平衡电阻:≤2%
7.绝缘电阻Z小值(MΩ/Km):5000
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5物理特性
1.传输带宽大于250MHz
2.23AWG线规
3.整箱线长305米
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能
产品特性:
2. 具有向后兼容性,可向下兼容UTP6、UTP5e及更低类别的系统,避免用户的投资损失
3. 传输时延低,紧凑线缆设计,减少中电缆出现扭曲打结现象
4. 中心PE十字骨架,Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距,具有高抗电磁干扰性,使传输信号的误码率降至Z低程度
5. 屏蔽系统采用端到端屏蔽及接地设计,防止信号泄漏和外部干扰,屏蔽性能良好,抗电磁干扰能力强
6. 单面覆塑铝箔屏蔽,接地金属丝(NOR1091004F)
7. 单面覆塑铝箔屏蔽+丝 /> 8. 每个线对覆 4FF)
9. 线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号
10. 木轴装,轴上贴有合格证
11. 绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪,在线火花检测仪,在线水中电容检测仪等在线设备,保证了产品的高可靠性和一致性,绝缘单线采用彩条色标符合环保要求
12. 所有使用铜及PE、PVC材质,都经过检测分析,放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内
13. 绝缘层材料为高密度聚乙(HDPE)
14. 外护套材料可选用不同阻燃等级材料或低烟无卤材料
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能:
1. 工作电容:≤5.6 nF/100米
2. 线对对地电容不平衡:≤330 pF/100米
3. 额定传输速率(NVP):65%
4. 线对时延差:≤45ns/100米
(23AWG)
6. 线对直流不平衡电阻:≤2%
7. 绝缘电阻Z小值(MΩ/Km): 5000
青海德令哈计算机电缆ZR-DJYJVP2-青海德令哈矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能物理特性:
1. 传输带宽大于500MHz
2. 23AWG线规
3. 整轴线长305米
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能型号:
非屏蔽UTP-6
铝箔屏蔽FTP-6
铜网屏蔽STP-6主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。三相电表打电表的接线柱盖子,盖子上就有接线图。接线图负荷较小时,可采用直接接入方法。下图为三相四线电表直接接入式:直接接入式图中可以看出,3接线柱;6接线柱;9接线柱分别为C三相电流线圈,7接线柱接电源侧C。9接线柱接负载。8接线柱为电压线圈。11接线柱接零线N。如果负荷较大时,可采用经电流互感器接入式。如下图:经电流互感器接入式图中可以看出,电表三个电流线圈分别通过三个电流互感器接入。